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1)  NRD Negative Resistance Diode
负阻二极管
2)  bonded NR diode
键合负阻二极管
3)  negative resistance tunnel diode
负阻抗隧道二极管
4)  transit time negative resistance diode
渡越时间负阻二极管
5)  negaive diode
负极二极管
6)  Loading-diode
负载二极管
补充资料:半导体负阻发光器件
      用发光材料制造的具有正向电压负阻型的结发光二极管,其正向υ-I特性呈S形(图1)。当正向电压达到导通电压υS时,二极管由高压关态(高阻态)经过负阻过程达到低压通态(低阻态)。描述正向电学导通特性的主要参数是:导通电压υS;导通电流IS;维持电压υH;维持电流IH;导通时间τon;关断时间τoff。描述发光特性的参数与一般发光器件相同。常用的结构有PNPN型及 PIN型。所用材料为GaAs、GaInAsP、GaP、GaAsP等。PIN型器件的电性能和发光性能不佳。PNPN型负阻发光器件的电导通原理,可用等效双晶体管模型的电学正反馈作用来描述。用某种方式使二极管导通(电导通或光导通)后,由于少数载流子注入到发光有源区,产生辐射复合发光(包括受激发射)。
  
  一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置,这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降,例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗,称为电学完全导通。②良好的发光特性:除了材料的质量要求外,在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制,使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构,可能使这些要求得到兼顾。
  
  对器件结构的这两项要求,可用双晶体管模型来分析(图2)。
  在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是:
  
α12>1

  式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数,它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关:α1=γ1·β1·α;α2=γ2·β2·α(在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用)。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效,则β1应为零,即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区,这时,在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用,只能类同于单个晶体管,不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此,为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零,从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对,能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好,激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
  
  器件用作开关激光器时,激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载,在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs,GaInAsP/InP等制造。
  
  这种器件电路简单,调制容易,可借以实现多功能,适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
  
  

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