1) epitaxial laser
外延激光器
2) epitaxial diode laser
外延二极管激光器
3) epitaxial semiconductor laser
外延半导体激光器
4) epitaxial injecton laser
外延注入式激光器
5) L-MBE
激光分子束外延
1.
Highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250,300,350,400 and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。
2.
High quality ZnO films are deposited on SiN_x/Si substrate by laser molecular beam epitaxy(L-MBE).
采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密。
3.
C-axis highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250℃,300℃,350℃,400℃ and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。
6) Laser Molecular Beam Epitaxy
激光分子束外延
1.
The Technique of Laser Molecular Beam Epitaxy for Thin Films;
激光分子束外延制备薄膜技术
2.
Compared with metal organic chemical vapor deposition and magnetron sputtering, laser molecular beam epitaxy is an advanced technology developed in recent years and has stronger and stronger co.
与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。
3.
High quality crystalline zinc oxide thin films were grown on sapphire substrate with lower temperature by laser molecular beam epitaxy (L-MBE) and using a sintered ZnO ceramic as target.
用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。
补充资料：外延
见晶体生长技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条