1) YAG Laser Crystals
雷射晶体(YAG)
2) YAG laser
YAG雷射
3) YAG crystal
YAG晶体
1.
The Intermediate Role in Energy Transfer of Tm~(3+) Ions in (Cr, Tm, Ho): YAG Crystal;
(Cr,Tm,Ho):YAG晶体中Tm~(3+)离子的中介能量转移作用
2.
The sensitive action of Yb~(3+) ions on Er~(3+)in YAG crystal.;
YAG晶体中Yb~(3+)对Er~(3+)的敏化作用
3.
On the basis of the theory of facet growth,the temperature gradient and procedure parameters during the course of crystal growth were adjusted correspondingly,by way of which,together with the suitable anneal procedure,the stress birefringence was reduced remarkably in the undoped YAG crystal.
通过对提拉法生长非掺杂YAG晶体应力双折射的产生原因以及小面生长的成因分析,采用调整温场的温度梯度,同时在生长过程中调整工艺参数,并采用适当的退火程序,有效减小了提拉法生长非掺杂YAG晶体的应力双折射。
4) YAG polycrystalline
YAG多晶体
1.
It was observed and analyzed that phase transformation during the solidstate reaction, transparency, densification and microstructure of YAG polycrystalline sintered under different fabrication conditions.
结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固相反应的完成,使获得YAG透明体的烧结温度降低100～200℃,保温时间也显著缩短;气孔和晶界对光的反射和散射是YAG多晶体透光性降低的主要原因,采用真空烧结可提高YAG烧结体的密度,改善晶体结构的均匀度,有利于提高YAG多晶体的透光性。
5) Nd∶YAG crystal
Nd∶YAG晶体
6) Yb∶YAG crystal
Yb∶YAG晶体
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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