说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 非易失性随机存取存储器,断电不丢失数据的随机存取存储器
1)  NVRAM Non Volatile Random Access Memory
非易失性随机存取存储器,断电不丢失数据的随机存取存储器
2)  nvram
非易失随机存取存储器
3)  nonvolatile timekeeping RAM
非易失性计时随机存取存储器
4)  memory,nonvolatile random access
非易失性随机存取存储器
5)  RAM [英][ræm]  [美][ræm]
随机存取存储器
6)  random access storage
随机存取存储器,随机取数存储器
补充资料:视频随机存取存储器芯片


视频随机存取存储器芯片
video random access memory chip, VRAM

.656-视┌──┐│时序││控制│└──┘列地址译码Ao~A,列地址级冲寄存器 I/0数据级冲Wl/0,~Wl/0‘写人控制A。~A,行地址级冲寄存器写人屏蔽寄存器Wl/0:~Wl/0 …512K4一514x4串行访问存储器(S^M) 一512X4一A。~A7申行翰出地址计数器申行拍出数据选择51/O,~51/O-图1 256kbx4双端口、丁U心叭框图人,而保持原有的数据。这样就便于输人直线或曲线。新写人的线筱盖原有的图象,而不在线上的图象保持原状。DRAM端口可通过图象控制电路与中央处理器(CPU)总线相接,便于CPtJ直接访问1万监M。 SAM端口是高速串行输人输出端口。SAM端口在外部时钟控制下实现象素数据的串行输人或输出。SAM与I)RAM间按行进行数据转换。串行输出主要用于屏幕显示的刷新,串行输人则是通过控制电路高速输人一行数据,再转换写人DRAM。 由此可见,用VRAM比用普通1〕RAM作显示存储器可更有效地改写屏幕,提高了图象变换的速度,并且也允许有更高的象素频率(更高的分辨率)。但、叹AM的成本高于普通DRAM。 双端口VRAM芯片有64kb只4,256 kb X4,128 kb xs,256 kb x 16等品种。图l为256 kb x4双端口VRAM框图。此VRA五人的核心是点阵为512x512x4的1〕RAM和512又4的SAM。其组成还有用于控制1〕RAM访问的行、列地址缓冲寄存器、行地址译码驱动、列地址译码、读出放大和写人驱动、输人输出(1/0)数据缓冲、写人屏蔽寄存器和写人控制等外围电路。此外,还有用于控制访问SAM的申行输出地址(指针)计数器、串行输出数据选择和串行输人输出数据寄存器。 地址输人AO一A,确定访问1〕RAM的行地址、列地址,或访问SAM的起始地址。wl/q一wl/q为DRAM端口的数据输人输出,S1/q一Sl/q为SAM端口的数据输人输出,1灵AS和(护占为行选和列选信号,sc为串行数据输人输出控制时钟,丽为串口使能控制。WB/WE为DRAM按位写人和数据写人控制。I)T/()E为1〕RAM与SAM间数据转换和读出时输出控制。 DRAM端口的操作及DRAM与SAM间的转换根据获入弓处于下降边时(丽j厅/丽,丽豆/丽E和SE的状态确定,如表1所示。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条