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1)  ULF (Ultra Low Frequency)
超低频率
2)  high-power low-frequency ultrasound
大功率低频超声
3)  lower frequency
低频,低频率
4)  low frequency ultrasound
低频超声
1.
Degradation of azo-dye Acid Red B in aqueous solution by cast iron combined with low frequency ultrasound;
低频超声/内电解法联用处理酸性红B废水
2.
Effects of low frequency ultrasound treatment on the expression of tumor necrosis factor-α in C6 glioma cells;
低频超声对C6胶质瘤细胞TNF-α表达的影响
3.
Objective To investigate the effect of low frequency ultrasound at 1MHz with different power and illumination time on the blood-brain barrier (BBB)and the cortic neurons of rats to seek the optimum sonication condition to open BBB.
目的探讨1MHz低频超声在不同功率、不同照射时间对大鼠脑细胞及血脑屏障的影响,寻求开放血脑屏障的最佳条件。
5)  low-frequency ultrasonic
低频超声
1.
Objective:To investigate the therapeutic effect of low-frequency ultrasonic transdermal drug delivery machine on severe frostbite of rabbit foot and to provide basis for clinical use of them.
目的 :研究低频超声药物渗透治疗仪在治疗兔足重度冻伤中的作用 ,为其临床应用提供依据。
6)  Low Frequency Ultrasonic
低频超声
1.
Objective To investigate the mechanical properties of Polymethylmethacrylate(PMMA) bone cement loaded with different concentration of Vancomycin,as well as the influence of the low frequency ultrasonic(LFUS) on them.
目的 研究含有不同浓度万古霉素的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)骨水泥的机械性能,以及低频超声对其的潜在影响。
补充资料:大功率电力电子器件


大功率电力电子器件
power electronic devices

  dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件,故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高,它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且),要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新,又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源,减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此,所有电力半导体器件无不工作在开关方式下,这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管,为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例,已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通,故名半控型.自20世纪70年代末开始,由于采用了徽电子技术的工艺成就,制成了大功率晶体管(gianttransistor,GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor,GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断,故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的,所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间,妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下,最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展,要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条