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1)  gallium arsenide phosphide
磷砷化镓
2)  GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
3)  InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
4)  AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
5)  gallium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝镓
6)  InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
补充资料:磷砷化镓单晶
分子式:GaAs1-xPx;0≤x≤1
CAS号:

性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体,0.53≤x≤1时为间接带隙半导体;禁带宽度随x变化在1.43~2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。

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