1) gallium arsenide phosphide
磷砷化镓
2) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
3) InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
4) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
5) gallium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝镓
6) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
补充资料：磷砷化镓单晶
分子式：GaAs1-xPx；0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条