说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 达林顿功率管
1)  Darlington power transistor
达林顿功率管
2)  High-frequency-power Transistor
高频功率达林顿晶体管
3)  Darlinton power module
达林顿功率模块
1.
Thedriver adopts a Darlinton power module to amplify the signal and possesses some features of highpower, high peak current and easy adjustment.
该电源采用达林顿功率模块对信号进行放大,具有高功率、大电流、调节方便等特点,可输出电流峰值10~150A、脉频25~1000Hz、脉宽50~1000μs范围内连续可调的稳定矩形脉冲,同时以一定的精度显示频率、脉宽、电流峰值。
4)  Darlington pair
达林顿对(管)
5)  darlington transistor
达林顿晶体管
1.
Darlington transistor is more convenience in power amplification areas because of its high power gain and high reliability.
达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。
2.
The PSpice model of a Darlington transistor is extracted and optimized in room temperature,some typical electrical characteristics of NPN Darlington pair based on Chip TIP120 are simulated,such as current gain(hFE),collector current vs.
达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的,一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的,比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益(hFE),集电极电流vs,输入级电流,以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间的关系。
6)  Darlington
达林顿
1.
The Design and Fabrication of High Gain and Power of Darlington Transistor;
高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造
2.
The main work includes the analysis of trench terminal structures,theoretical analysis and design of trenched Darlington power transistor,process and device computer simulations of trenched Darlington transistor,trenched Darlington transistor layout design and process implementation,as well as the measurement and test of sample device.
论文的主要工作包括:隔离结构分析;槽型结构达林顿功率晶体管设计的理论分析;槽型达林顿功率晶体管的工艺与器件计算机仿真;槽型达林顿晶体管的版图设计、工艺实现以及试验样管的测试分析。
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条