1) ectrostatic field
静电场;静电场
2) electrostatic field
静电场
1.
Perturbation method for the problems of the electrostatic field;
静电场问题中的微扰方法
2.
Solving two-dimensional unbounded electrostatic field with ANSYS;
二维开域静电场的ANSYS解法
3.
Solving axially symmetrical electrostatic field in cylindrical coordinates;
在柱坐标系中求解轴对称的静电场
3) static electric field
静电场
1.
Vector potential of static electric field;
静电场矢势物理特性研究
2.
Effects of static electric field on high-order harmonic generation of hydrogen atom in intense laser field;
静电场对强激光场中氢原子产生高次谐波的影响
3.
The effect of static electric field on nonsequential double ionization;
静电场对强激光场非序列双电子电离的影响
4) electrostatic force
静电场力
1.
The process relies heavily on the electrostatic force produced by the depletion region, and a model is built to analyze the dominant factor of the electrostatic force.
连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因。
2.
The two-dimensional three-stage microbeam model subject to the electrostatic force is used to analyze effects of some factors on tunable-range of MEMS voltage-controlled capacitor.
采用静电场力作用下二维三阶段微梁的静力分析模型,分析了影响两侧下拉电极MEMS压控电容可控范围的因素,这些因素包括:驱动电极的位置、电容极板的初始间隙、电容极板长度、介质层的厚度、介质的介电常数等,通过分析可以了解各因素对MEMS压控电容性能的影响以及这些因素之间的一些相互制约关系。
3.
A novel electromechanical integrated drive system actuated by electrostatic force was proposed,the basic operating principle of which was also described.
用Fourier级数形式表示了静电场力的动态分量和3个模态函数,在Donnell壳理论的基础上建立了电场力作用下系统的动力学模型。
5) electrostatic fields
静电场
1.
The authors present a pressure distribution and a surface elevation formula of dielectric liquids in electrostatic fields.
给出静电场和重力场共同作用下介电液体内的压强分布式以及液面高度表达式，并讨论了两个具体问题：用两个平行平板电极间的液面上升高度推求液体的介电常数；分析了Ｓｕｍｏｔｏ效应的成因，并给出其中的液面攀升高度的计算式。
2.
This paper analyzes the cause of frictional electricity in gas-solid particle flow by usingthe theories of electrostatic fields and fluid mechanics and presents the formula for calculating the current density in electric circuits.
运用静电场和流体动力学的基础理论，分析了气体－固体位子流动系统摩擦起电的机理，并导出了电路中的起电电流密度的表达式。
6) Electric field
静电场
1.
Using suspension of RBC as a "model solution system", a high voltage DC electric field is introduced into its low-cooling-rate freezing process.
本文以红细胞悬液为研究模型,通过在对其进行慢速冻结的过程中引入静电场,具体研究了静电场对降温过程中红细胞悬液冻结特性的影响。
2.
From different angles some similarities are dug out in describing gravitational field and electric field.
本文从多个角度挖掘了引力场与静电场描述上的相似之处。
3.
According to the Kulun Law and superposition theorem, we sum up the problem of interaction between electric charge and electric field and give some theories and examples for comprehending the interaction very well.
在库仑定律及叠加原理的基础上，对电荷（或带电导体）与电介质相互作用求解问题进行了总结，给出了几种简便方法的理论基础和求解实例，以加深对静电场与物质（导体介质）相互作用的认识与理解。
补充资料：静电场
观察者与电荷相对静止时所观察到的电场。它是电荷周围空间存在的一种特殊形态的物质，其基本特征是对置于其中的静止电荷有力的作用。库仑定律描述了这个力。
电场强度 表示电场物理性质的基本量之一是电场强度E,它是矢量。电场强度E对场中其他电荷q┡的作用力为
静电场具有无旋场（位场）的性质，即沿场内任一环路l的电场强度E的线积分为0，
该式的微分形式为静电场强度的旋度等于0，
静电场具有点源场的性质，在自由空间中由任意闭合面S穿出的电场强度通量应等于S内所有电荷的代数和并除以真空介电常数ε0，
静电感应 如果电场中存在导体，在电场力的作用下出现静电感应现象,使原来中和的正、负电荷分离,出现在导体表面上。这些电荷称为感应电荷。总的电场是感应电荷与自由电荷共同作用结果。达到平衡时，导体内部的电场为零。静电感应现象有一些应用，但也可能造成危害。
静电场中的介质 电场中的绝缘介质又称为电介质。由于电场力的作用在原子尺度上出现了等效的束缚电荷。这种现象称为电介质的极化。对一种绝缘材料，当电场强度超过某一数值时，束缚电荷被迫流动造成介质击穿而失去其绝缘性能。因此静电场的大小对电工器件的设计及材料选择十分重要。
有介质时的静电场是由束缚电荷及自由电荷共同产生的，为了表示这二者共同作用下的电场，可以引入另一个场矢量电通量密度D（又称电位移）。它定义为
式中P为电介质的极化强度，则可得高斯通量定理
式中q仅为S面内所有自由电荷，而不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式为电位移的散度等于该点自由电荷（体）密度ρ，
墷·D＝ρ
电介质的极化强度P与电场强度E有关，而电通量密度又与P 和E 有关，故可得表示电介质的本构方程
D＝εE
式中ε=(1+χ)ε0,为电介质的介电常数(即电容率)。对于线性电介质,ε为一常数；对于各向异性的电介质,D与E将不同向,ε为一张量。ε＝εrε0，εr称为相对介电常数。
电位 由于静电场是无旋场,故可用标量电位φ表征静电场（见电位）。电位与电场强度的关系是式中Q点为电位参考点，可选在无穷远处；P点为观察点。上式的微分形式为电场强度等于电位的负梯度，即
E＝-墷φ在ε为常数的区域，式中墷·墷可记作墷2，在直角坐标中分别为一阶与二阶微分算符。这样,可得电位φ所满足的微分方程称为泊松方程。如果观察点处自由电荷密度ρ为0，则墷2φ＝0称为拉普拉斯方程。泊松方程和拉普拉斯方程描述了静电场空间分布的规律性。可以证明，当已知ρ、ε及边界条件时，泊松方程或拉普拉斯方程的解是惟一的，可以设法求解电位φ，再求出场中各处的E。
参考书目
王先冲编：《电磁场理论及应用》，科学出版社，北京，1986。
电场强度 表示电场物理性质的基本量之一是电场强度E,它是矢量。电场强度E对场中其他电荷q┡的作用力为
静电场具有无旋场（位场）的性质，即沿场内任一环路l的电场强度E的线积分为0，
该式的微分形式为静电场强度的旋度等于0，
静电场具有点源场的性质，在自由空间中由任意闭合面S穿出的电场强度通量应等于S内所有电荷的代数和并除以真空介电常数ε0，
静电感应 如果电场中存在导体，在电场力的作用下出现静电感应现象,使原来中和的正、负电荷分离,出现在导体表面上。这些电荷称为感应电荷。总的电场是感应电荷与自由电荷共同作用结果。达到平衡时，导体内部的电场为零。静电感应现象有一些应用，但也可能造成危害。
静电场中的介质 电场中的绝缘介质又称为电介质。由于电场力的作用在原子尺度上出现了等效的束缚电荷。这种现象称为电介质的极化。对一种绝缘材料，当电场强度超过某一数值时，束缚电荷被迫流动造成介质击穿而失去其绝缘性能。因此静电场的大小对电工器件的设计及材料选择十分重要。
有介质时的静电场是由束缚电荷及自由电荷共同产生的，为了表示这二者共同作用下的电场，可以引入另一个场矢量电通量密度D（又称电位移）。它定义为
式中P为电介质的极化强度，则可得高斯通量定理
式中q仅为S面内所有自由电荷，而不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式为电位移的散度等于该点自由电荷（体）密度ρ，
墷·D＝ρ
电介质的极化强度P与电场强度E有关，而电通量密度又与P 和E 有关，故可得表示电介质的本构方程
D＝εE
式中ε=(1+χ)ε0,为电介质的介电常数(即电容率)。对于线性电介质,ε为一常数；对于各向异性的电介质,D与E将不同向,ε为一张量。ε＝εrε0，εr称为相对介电常数。
电位 由于静电场是无旋场,故可用标量电位φ表征静电场（见电位）。电位与电场强度的关系是式中Q点为电位参考点，可选在无穷远处；P点为观察点。上式的微分形式为电场强度等于电位的负梯度，即
E＝-墷φ在ε为常数的区域，式中墷·墷可记作墷2，在直角坐标中分别为一阶与二阶微分算符。这样,可得电位φ所满足的微分方程称为泊松方程。如果观察点处自由电荷密度ρ为0，则墷2φ＝0称为拉普拉斯方程。泊松方程和拉普拉斯方程描述了静电场空间分布的规律性。可以证明，当已知ρ、ε及边界条件时，泊松方程或拉普拉斯方程的解是惟一的，可以设法求解电位φ，再求出场中各处的E。
参考书目
王先冲编：《电磁场理论及应用》，科学出版社，北京，1986。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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