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1)  low-energy electron excited luminescence
低能电子激发发光
2)  low energy cathodeluminescence
低能电子发光
3)  electronic excitation energy
电子激发能
4)  cathode luminescence
电子激发光
5)  XPS
X光激发电子能谱
1.
The interfacial structures of double interface system of Si_3N_4/SiO_2/Si were examined using XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)before and after~(60)Co irradiation.
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。
2.
A depth profiles analysis of the irradiation effect of Si3N4/SiO2 doublegate medium under 60Coγ ray irradiation has been carried out by using the Xray photoemission spectroscopy (XPS) method, with Ar+ ion etching.
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析。
6)  low lying excitation
低能激发
补充资料:低能电子
分子式:
CAS号:

性质:电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应,降低了分子离子的平均内能,容易获得较大丰度的分子离子峰。

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参考词条