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1)  dry-oxygen oxidation
干氧氧化
1.
The SiO_2 film grown on crystalline silicon substrate via dry-oxygen oxidation was mainly investigated in this paper.
主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO_2薄膜,通过改变非晶SiO_2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命。
2)  dry-oxygen oxidation method
干氧氧化法
3)  dry oxidation
干法氧化
1.
This paper has researched the change of concentration of Fe、Al、Ca、Ti、Cu after metallurgical grade silicon power are oxidized by wet method,then purified by hydrofluoric acid leaching,which is compared with that of dry oxidation.
研究了冶金级硅粉经湿法氧化后,再经氢氟酸处理,Fe、Al、Ca、Ti、Cu等主要金属杂质含量的变化,并与干法氧化进行了对比。
4)  ustox
干氧化土
5)  dry oxidation
干氧化
6)  oxide interference
氧化物干扰
1.
The oxide interference and its correction for the determination of rare earth elements (REEs) at sub ng/g levels in human hair and wheat flour reference materials by ICP MS was discussed in this paper.
研究了 μg/L水平的轻稀土氧化物对重稀土元素的干扰程度 ,其中La、Ce和Pr的氧化物干扰比较严重 ,其氧化物产率 (% )分别为 2 0 ,2 79和 3 2 6。
补充资料:干法氧化铁红
分子式:
CAS号:

性质: 指用干法制成的氧化铁红颜料。由于干法均需采用煅烧工序,因此,干法氧化铁红粒子均较湿法氧化铁红硬,较适宜作抛光剂或磁性材料。用作颜料时,必须经过研磨粉碎。

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参考词条