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1)  masking matrix circuit
掩蔽矩阵电路
2)  covered position
掩蔽阵地
3)  matrix circuit
矩阵电路
4)  Mask Matrix
掩膜矩阵
5)  masking tension
掩蔽电压
6)  electrochemical masking
电化学掩蔽
补充资料:掩蔽
分子式:
CAS号:

性质:在分析测定多种组分的试样时,共存组分对欲测组分常产生干扰,若在试液中加入一种能与干扰物质发生化学反应的某种试剂,使干扰物质的浓度降低至不致干扰测定反应的程度,从而消除了干扰。此过程称为掩蔽或掩蔽效应(masking effect)。所加入的试剂称为掩蔽剂(masking agent)。根据化学反应的类型不同,掩蔽剂可分为:络合掩蔽剂,它与干扰离子生成更稳定的络合物,这是应用广泛最重要的一类掩蔽剂;沉淀掩蔽剂,与干扰离子生成沉淀;氧化还原掩蔽剂,它是一种氧化剂或还原剂,能改变离子的价态。利用掩蔽法消除干扰,比采用分离方法省时、省力。掩蔽效率用掩蔽指数来衡量,常用符号lgαN(x)表示。N代表干扰离子,X代表络合掩蔽剂,αN(x)表示掩蔽效率。αN(x)=[N]+[NX1]+[NX2]+…+[NXn]/[N]=[N]/[N]。取对数式lgαN(x)=lg[N]/[N]。lgαN(x)称为掩蔽指数。式中[N]表示干扰离子与络合剂X生成络合物各种型体浓度的总和,[N]表示游离干扰离子的浓度。显然,lgαN(x)值越大,游离[N]越少,说明掩蔽效率越高。

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