1) gadolinium iron garnet
钆铁石榴石
2) GdBiIG
钆铋铁石榴石
1.
i-substituted gadolinium iron garnet(GdBiIG) single crystals have been grown by flux method with accelerated crucible rotation technique.
采用助熔剂法并配以加速坩埚转动技术生长出钆铋铁石榴石（ＧｄＢｉＩＧ）单晶，在近红外区（０。
3) GGG;gadolinium gallium garnet
钆镓榴石
4) composite yttrium-gadolinium garnet ferrite
钇钆复合石榴石铁氧体
6) neodymium-doped gadolinium gallium garnet
掺钕钆镓石榴石
1.
The optimum processing parameters for growth of neodymium-doped gadolinium gallium garnet (Nd:GGG) laser crystal was studied by the Czochralski method.
采用提拉法生长掺钕钆镓石榴石(neodymium-doped gadolinium gallium garnet,Nd:GGG)激光晶体,选择最佳工艺参数:提拉速率为2～4mm/h;转速为20～40r/min;冷却速率为20℃/h。
补充资料：钇-钆石榴石型旋磁铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：具有复合石榴石型旋(陀)磁铁氧体。化学式为Y3-xGdxFe5O12。饱和磁化强度0.0225～0.15T。居里温度110～275℃。铁磁共振线宽4.8～16kA/m2(9kHz)。介电常数13.5～16.0。介质损耗角正切值(0.25～3)×10-3。体积电阻率1010Ω·cm。钆置换量适当时，在一定温度范围内，饱和磁化强度随温度变化不大。以钇-钆石榴石型铁氧体为原料调整钆置换量，采用一般磁性陶瓷生产工艺制造。由于制品具有优异的磁性和介电性能，体积电阻率高，介质损耗低，可用于制造高温稳定微波旋磁铁氧体器件。
CAS号：
性质：具有复合石榴石型旋(陀)磁铁氧体。化学式为Y3-xGdxFe5O12。饱和磁化强度0.0225～0.15T。居里温度110～275℃。铁磁共振线宽4.8～16kA/m2(9kHz)。介电常数13.5～16.0。介质损耗角正切值(0.25～3)×10-3。体积电阻率1010Ω·cm。钆置换量适当时，在一定温度范围内，饱和磁化强度随温度变化不大。以钇-钆石榴石型铁氧体为原料调整钆置换量，采用一般磁性陶瓷生产工艺制造。由于制品具有优异的磁性和介电性能，体积电阻率高，介质损耗低，可用于制造高温稳定微波旋磁铁氧体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条