1) C-V
电容-电压
1.
A relative large built-in potential was obtained by investigating the capacitance-voltage(C-V) characteristic,from which the schematic band alignment of IMO/p-Si was plotted.
根据对IMO/p-Si异质结进行的电容-电压测得的内建势获得了其大致的接触能带排列图,并由此可以推断IMO/n-Si的接触能带图。
2.
This project investigates two-sided capacitance-voltage (C-V) technique for application in doping profile characterization of Si ultra shallow p+-n junctions.
本论文研究了通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结(如p+-n结)进行双边电容-电压(C-V)剖面分析,从而提取p区的掺杂浓度分布。
2) capacitor voltage
电容电压
1.
For avoiding the unbalance of capacitor voltage, the summation of charge injected in neutral point must be zero.
电容电压不均衡是二极管钳位型多电平逆变器中一个关键技术问题。
2.
The modulation approaches based on the space vector pulse width modulation (SVPWM) is incapable of controlling the capacitor voltage for high modulation indexes and low power factors in NPC three-level inverter.
空间矢量脉宽调制(space vector pulse-width modulation,SVPWM)由于算法本身的缺陷,在调制度较高且功率因数较低时,电容电压出现低频波动。
3.
The modulation approaches based on the space vector pulse width modulation(SVPWM) and the sinusoidal carrier-based modulation(SPWM) are incapable of controlling the capacitor voltage for high modulation indexes and low power factors in diode clamped three-level inverter.
电容电压偏移是二极管箝位型多电平逆变器的主要缺点。
3) capacitance-voltage spectrum
电容-电压谱
4) condenser voltage
电容器电压
5) grading capacitance
均压电容
1.
A grading capacitance explosion occurs during switching no-load in 500 kV long line.
在一次500kV开关切空载长线操作中,发生了对侧开关均压电容爆炸事故。
6) capacitor-varistor
电容-压敏
1.
In this paper the preparation methods and mechanism of multifunction of Sr-TiO3-based capacitor-varistor multifunctional ceramic are introduced.
介绍了SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。
补充资料：电容电压法
电容电压法
capacitance-voltage method
电容电压法capaeitance一vozta罗method用于测量体材料、外延材料、异质结结构以及超晶格等材料的载流子浓度及其分布的方法。载流子浓度可测范围为5x10‘4一5火10‘7cm一3。测试样品需制备成PN结、肖特基势垒或MOS、MIS结构等，因此也可用来研究界面特性。 将置于恒定反偏的PN结上叠加一小讯号的高频电压时，由于频率很高，它仅能使耗尽区界面处、弛豫时间为10一‘2秒的自由载流子来得及移动，以致引起耗尽区界面处空间电荷的变化，这与一个间距为W的平行板电容器的效果等同，于是高频小讯号半导体结电容C为。A￡七一一于书， 昨式中W为耗尽区宽度，￡为介电常数，A为结的面积。 根据微分电容的定义:尸二卫垒~dV 界面处的感生电荷由界面移动来完成，如PN结两侧的浓度分别为戈(x)和凡(x)，在单边突变结的情况下，耗尽层电荷的变化dQ为 dQ二qANb(x)d。由上3式可得N0(二，一葡箫一当PN结为双边结时，则 1 .1_口乙八2，dC、一玉不-了一，「州尸于于万r一、一一一下子r一几一不万厂井)IV台气X)IV滩、尤)L一’QV’上两式就是利用电容一电压法测量载流子浓度分布的基本公式。 测量在小讯号(
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参考词条