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1)  Sr/Si surface
Sr/Si表面
1.
Sr/Si surfaces play important role in the growth of crystalline high-k oxide on silicon substrate, which acts as buffer layer, forbidden substrate silicon oxidation during high temperature annealing process.
Sr/Si表面体系在晶形氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用。
2)  Si(100) surface
Si(100)表面
3)  Si surface
Si表面
1.
The micrometer-scaled channels with different width and depth on the Si surface were prepared by pulse laser ablation.
利用脉冲激光在Si表面刻蚀具有不同宽度和深度的微槽形貌,通过测量接触角的大小研究其浸润特性,并分析了形貌与浸润性的关系。
2.
Desorption of the Si surface saturated by hydrogen showed that .
氢饱和的Si表面的热脱附研究表明,当样品被加热到590K时,表面结构并无明显变化;而到达670K时,则表面的(1×1)双氢化物相消失;当温度升高到730K时,(2×1)结构的二聚原子列又重现于表面,而且在Si衬底的台阶上出现许多错列的吸附原子链。
4)  Si (111) surface
Si(111)表面
5)  Si(001) surface
Si(001)表面
1.
First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
2.
By analyzing the band structures, the Si(001) surface varied from semiconductor to conductor, then to semiconductor again with increasing Li coverage.
由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程。
6)  Si(111) H surface
Si(111)H表面
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条