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1)  doped SiO_2 nanoparticles
掺杂纳米二氧化硅
2)  Er-doped silica
掺铒纳米二氧化硅
3)  nanosized bismuth-doped tin dioxide powders
纳米铋掺杂二氧化锡
4)  Ag-doped nano-titania
银掺杂纳米二氧化钛
5)  antimony-doped tin dioxide
纳米锑掺杂二氧化锡
1.
Progress of functional materials of nanometer antimony-doped tin dioxide;
介绍了纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)材料独特的光电机理;系统综述了目前国内外纳米ATO粉体的主要制备方法,包括各制备方法的工艺路线与特点;并对纳米ATO在显示涂层材料、导电抗静电涂料、透明隔热涂料等领域中的应用进行了概括。
6)  SiO2-doping
二氧化硅掺杂
补充资料:掺杂
分子式:
CAS号:

性质:在一种材料(基质)中,掺入少量其他元素或化合物,以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能,从而具有实际应用价值或特定用途。例如,在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料,由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子,可以得到不同性质的发光材料,如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大,需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法,并在一定温度下灼烧,使晶体中的掺杂离子均匀分布。

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