1) Hole transfer
空穴迁移
2) hole mobility
空穴迁移率
1.
cm, and the highest hole mobility of the film is 50cm2/V.
ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ。
2.
Based on the consideration of the strain-effect in Si1-xGex alloy band,a semi-epirical hole mobility model in inversion channel of the Si1-xGexpMOSFET is founded.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
3.
A semi-experienced low-field hole mobility model of a strained Si_(1-x)Ge_x/Si pMOSFET is proposed by considering the effect of the strain on the energy-band structure of SiGe alloy.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
3) hole drift mobility
空穴漂移迁移率
4) hole mobility enhancement
空穴迁移率增强
5) Hole-transfer
空穴转移
6) hole drift
空穴漂移
补充资料：空穴
分子式：
CAS号：
性质：半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。
CAS号：
性质：半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条