2) Etched depth error
刻蚀深度误差
3) etching error tolerance
刻蚀容差
1.
A high-temperature superconductivity(HTS) quasi-hairpin filter with high etching error tolerance was developed,which had better characteristics than other structures on the same etching condition.
研制了一种具有良好刻蚀容差性能的类发夹型高温超导滤波器,在同等刻蚀条件下,达得更高的性能指标。
4) scoring errors
刻划误差
5) overlay error
套刻误差
1.
In order to meet the demand of coma measurement accuracy of lithographic tool projection lens,a novel method for measuring coma based on fine overlay error metrology marks is proposed.
为了满足光刻机投影物镜彗差测量精度的要求,提出一种基于套刻误差测试标记的彗差检测技术,分析了彗差对套刻误差测试标记空间像的影响,详细叙述了该技术的测量原理,并利用PROLITH光刻仿真软件对不同数值孔径与部分相干因子设置下套刻误差相对于彗差的灵敏度系数进行了仿真实验。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条