1) 3C-SiC(001) surface
3C-SiC(001)表面
2) Si(001) surface
Si(001)表面
1.
First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
2.
By analyzing the band structures, the Si(001) surface varied from semiconductor to conductor, then to semiconductor again with increasing Li coverage.
由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程。
4) TiO_2-terminated SrTiO_3(001)surface
SrTiO3-(001)TiO2表面
1.
Water adsorptions on TiO_2-terminated SrTiO_3(001)surfaces at four kinds of coverages(0.
75ML和1ML吸附率下H2O在SrTiO3-(001)TiO2表面上的吸附行为。
5) Si(001)2×1 reconstructed surface
Si(001)重构表面
6) 3C-SiC films
3C-SiC薄膜
1.
Influence of Temperature of Carbonization Gas Introduction on the Growth of 3C-SiC films;
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
补充资料：3C
通信、计算机和控制三个英文词的缩写。3C概括了信息革命中最有代表性的三项技术。通信技术、计算机技术和控制技术相结合可以实现许多高度复杂的自动化系统。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条