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1)  nanopolycrystalline silicon film
纳米多晶硅薄膜
1.
A nanopolycrystalline silicon film was deposited by LPCVD in my topic in the fabrication techniques of the crystalline solar cell.
本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13。
2)  PolySilicon Nano-Film
多晶硅纳米薄膜
1.
In order to apply these characteristic,this paper introduced a method of designing a polysilicon nano-film piezoresistive pressure sensor.
多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。
3)  nano-crystalline silicon thin films
纳米晶硅薄膜
1.
Effect of hydrogen dilution on crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films in fast growth
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响
2.
Hydrogenated nano-crystalline silicon thin films(nc-Si∶H) with deposition rate of 0.
4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。
4)  silicon nano-crystals
硅纳米晶薄膜
1.
The photoluminescence (PL) of silicon nano-crystals film is our constant aim in the development from micro-electron technique to optoelectronic integrated technique.
硅纳米晶薄膜发光材料在实现微电子技术向光电子集成技术发展中具有重大意义,因此一直是人们不懈追求的目标。
5)  polysilicon nanofilm
多晶硅纳米膜
6)  PSNF pressure sensor
多晶硅纳米薄膜压力传感器
补充资料:多晶
分子式:
CAS号:

性质:多晶(体)是众多取向机遇的单晶(体)的集合。多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础,对同一品种晶体来说,两者本质相同。两者不同处在于单晶是各向异性的,多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时,多晶样亦有其特色。多晶体中当晶粒粒度较小时,晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象,样品清晰度差,呈散射光。这种场合的多晶亦常称作粉晶(powder crystal)。

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