1) semi-Hertzian contact method
半赫兹接触方法
2) hertzian contact
赫兹接触
1.
A shock characteristics analysis method of beam structures with Hertzian contact
一种含赫兹接触的梁结构冲击特性分析方法
2.
The modified formula for calculation of elasto plastic Hertzian contact stress was established.
在试验的基础上提出了测量 Ti N涂层界面结合强度的弹塑性赫兹接触应力经验修正公式 ,作为应用实例测量了不同基体表面粗糙度对磁控溅射沉积的 Ti N涂层界面结合强度的影响 。
3.
The bonded-interface technique (BIT) has been successfully used for examining subsurface damage of brittle materials in the Hertzian contact and sliding friction tests because it could solve the problem of distinguishing the cracks that develops accidentally during the preparing sample process from those actually produced in the tests successfully.
为了观察常用牙科饰面陶瓷材料在赫兹接触及滑动摩擦状态下的应力分布规律，并探讨BIT实验技术在摩擦学研究中的可行性，本文应用接触力学的实验方法，对常用的两类饰面牙科陶瓷在BIT技术下的界面应力状况进行研究，为相关实验提供理论支持，并探究BIT实验技术在摩擦学研究中应用的合理性。
4) non-Hertzian contact
非赫兹接触
1.
Based on the real normal pressure distribution of wheel-rail contact,which is obtained by the elastic half-space non-Hertzian contact theory,the FastSim algorithm is modified and then applied to calculate the creep forces under the circumstances of single contact,flange contact and double contact in the single contact zone.
以弹性半空间非赫兹接触理论计算轮轨法向接触问题,得到比较真实的法向压力分布。
5) Quasi-Hertzian contact
拟赫兹接触
6) the Hertz contacted stress
赫兹接触压力
补充资料：夫兰克－赫兹实验
证明原子内部能量量子化的实验。1914年J.夫兰克和G.L.赫兹用低速电子碰撞原子的方法证实了原子分立能态的存在。抽出玻璃容器内的空气并注入少量汞，维持适当温度，使容器内形成一定气压的汞蒸气。由阴极K发出的电子，在K与栅极G之间的电场作用下加速,获得不太大速度的电子与KG间汞原子碰撞。再在栅极 G与阳极 A之间加一0.5V的反电压。当电子的能量未达到某一临界数值时，与汞原子产生弹性碰撞，不损失能量，到达栅极后还能克服反电压作用到达阳极A;当电子能量达到临界数值时，就足以影响汞原子的内部能量，电子与汞原子产生非弹性碰撞，将能量传递给汞原子而降低速度，到达栅极后不足以克服反电压的作用，不能再到达阳极。所以，加速电压由零开始上升时，回路电流开始上升；加速电压达到4.9V时电流下降；加速电压继续上升时，回路电流再一次上升，到9.0V时电流又下降等等。阳极电流的变化情况如图2所示。
当电子与汞原子产生非弹性碰撞，电子能量的损失正好等于激发能时，在经历一次碰撞以后，可以观察到汞原子从受激态跃迁到基态的发射谱线。
夫兰克－赫兹实验不仅证实了N.玻尔提出的原子存在分立能态的假设，而且改进后的实验装置可直接用来测定两能态之间的能量差。在历史上对原子理论的建立有重要意义。
当电子与汞原子产生非弹性碰撞，电子能量的损失正好等于激发能时，在经历一次碰撞以后，可以观察到汞原子从受激态跃迁到基态的发射谱线。
夫兰克－赫兹实验不仅证实了N.玻尔提出的原子存在分立能态的假设，而且改进后的实验装置可直接用来测定两能态之间的能量差。在历史上对原子理论的建立有重要意义。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条