1) Tantalum-based boron-doped diamond(Ta/BDD) film electrodes
钽基硼掺杂金刚石薄膜电极
2) boron-doped diamond film electrode
硼掺杂金刚石薄膜电极
1.
Electro-catalytic degradation of wastewater containing cyclohexanone using boron-doped diamond film electrode
采用循环伏安法、稳态极化法等对硼掺杂金刚石薄膜电极的电化学性能及电氧化降解含环己酮模拟废水的电极过程进行了研究,考察了电流密度、支持电解质浓度、起始环己酮浓度和pH值等因素对硼掺杂金刚石薄膜电极电氧化降解含环己酮模拟废水效果的影响。
3) triecane dicarboxylic acid
钽基金刚石薄膜电极
4) boron-doped diamond(BDD) film
硼掺杂的金刚石薄膜
5) B-doping diamond-like carbon films
硼掺杂类金刚石薄膜
6) Diamond film of doping nitrogen and boron
氮硼掺杂金刚石薄膜
补充资料：氮化钽电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条