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1)  GaAs Schottky diode
GaAs肖特基二极管
2)  GaAs Schottky Barrier Diode
GaAs肖特基势垒二极管
3)  schottky barrier diodes(SBD)
肖特基二极管(SBD)
4)  Schottky diode
肖特基二极管
1.
Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector;
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
2.
A study of the characteristics of p-type Al/6H-SiC schottky diode;
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
3.
Study on model of MISiC Schottky diodes hydrogen sensor;
MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
5)  SiC Schottky Diode
SiC肖特基二极管
1.
Application of SiC Schottky Diode in High Power Factor Correction;
SiC肖特基二极管在大功率PFC中的应用
6)  Schottky Barrier Diode
肖特基二极管
1.
The effect of ~(60)Co γ ray irradiation on the 1/f noise of Schottky barrier diodes;
~(60)Co γ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
2.
Theoretical and experimental analysis of Schottky barrier diode rectification;
肖特基二极管整流的计算与测量
3.
Research on the Characterization Technique for Irradiation-proof Competence of Schottky Barrier Diode;
肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

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参考词条