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1)  interfacial space charge
界面空间电荷
1.
In designing DC XLPE joints,the suppression of interfacial space charge is the most important,which depends on the reasonable permittivity and conductivity coordination of the two insulations.
在直流XLPE电缆接头的设计中,界面空间电荷的抑制是接头设计成功的保证;而对界面空间电荷的抑制就需要界面两侧绝缘的介电常数和电导率的合理配合。
2)  Grain boundary electrical region
晶界空间电荷区
1.
Grain boundary electrical region is produced in varistor, The cofficient of nonlinear resistivity is computed according to the current-controlling-charge theory, and computation results are agree with experiments.
Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性。
3)  surface space-charge layer
表面空间电荷层
4)  sruface charge
表面空间电荷
5)  interface charge
界面电荷
1.
Formation mechanism of interface charges in the metal-semiconductor superlattices;
金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理
2.
By solving the Poisson equation,a new breakdown model based on interface charges is developed in the paper.
基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。
3.
The results show that more interface charge is found in the AlN passivated barrier layer than the Si3N4 passivated one,with the AlN film containing more removable ions.
测得AlN和Si3N4介质钝化后的AlGaN/GaN异质结的高频C-V(电容-电压)曲线,由此计算钝化层与AlGaN势垒层界面电荷面密度,发现AlN钝化层与势垒层界面的电荷面密度较Si3N4更大,同时AlN钝化层薄膜含有的可移动离子数目更多。
6)  interfacial charge
界面电荷
1.
The heterojunction organic light-emitting devices(OLEDs) with the Al,Mg∶Ag alloy and LiF-Al composite layer as cathodes are fabricated by the vacuum sublimation technique,and the influence of the cathode materials on the interfacial charge accumulation are investigated.
采用金属A l、合金Mg∶Ag以及复合层LiF-A l作为阴极材料,利用真空加热蒸镀法制备了异质结有机发光器件(OLED),研究了阴极材料与器件有机层界面电荷聚集之间的关系。
补充资料:空间电荷层
分子式:
CAS号:

性质:与任何物体一样,半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言,半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层,厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同,只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。

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