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1)  N-LDMOS
N型横向双扩散金属氧化物晶体管
2)  double diffused mos transistor
双扩散金属氧化物半导体晶体管
例句>>
3)  power VDMOSFET(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
4)  HV LDMOS
高压横向扩散金属氧化物半导体
5)  LDMOS
横向扩散金属氧化物半导体
1.
Taking LDMOS RF power amplifier as example,electro-thermal model of LDMOS FET was introduced.
以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放
2.
14 GHz high efficiency class-E power amplifier based on LDMOS transistors.
14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。
6)  Si-VDMOSFET
硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条