1) Ge/Si self-organized quantum dot
Ge/Si自组织量子点
2) Ge/Si quantum dots
Ge/Si量子点
3) SiGe quantum dots
Si Ge量子点
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
4) Si-based Ge Quantum-dots
Si基Ge量子点
5) Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
补充资料：[styrene-(2-vinylpyridine)copolymer]
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：学名苯乙烯-2-乙烯吡啶共聚物。微黄色粉末或透明小颗粒晶体。无臭，无味。不溶于水，溶于酸、乙醇、丙酮、氯仿。有抗水、防潮性能，适用于多种药片的包衣等。
分子量：
CAS号：
性质：学名苯乙烯-2-乙烯吡啶共聚物。微黄色粉末或透明小颗粒晶体。无臭，无味。不溶于水，溶于酸、乙醇、丙酮、氯仿。有抗水、防潮性能，适用于多种药片的包衣等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条