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1)  Ca2O3 ceramic target
Ga2O3陶瓷靶材
2)  ceramic target
陶瓷靶材
1.
The effect of main parameters of HIP technique on the densification of ITO ceramic target was investigated.
实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的影响。
2.
Aluminum-doped zinc oxide (ZAO) ceramic targets for sputtering were fabricated by hot isostatic pressing (HIP) and ZAO transparent conducting thin films were prepared by dc magnetron sputtering.
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。
3)  ZnO target
ZnO陶瓷靶材
4)  magnetic ceramic target
磁性陶瓷靶材
5)  zinc oxide ceramic target
氧化锌陶瓷靶材
6)  ceramic target
陶瓷靶
1.
The experimental investigation on preparation of Li-doped ZnO ceramic targets and sputtering thin films;
ZnO掺杂Li~+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究
2.
Photocatalytic properties of titania thin films by radio frequency magnetron sputtering from ceramic target;
陶瓷靶射频磁控溅射TiO_2薄膜的制备和光催化特性(英文)
3.
An experimental study on anti-penetration process of confined AD95 ceramic targets to shaped charge jets;
约束陶瓷靶抗射流侵彻实验研究
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

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参考词条