1) GaInP thin film morphology
GaInP薄膜形貌
1.
The results of simulation and visualization truly and intuitively display process of GaInP thin film growth in MOCVD reactor,and they reveal the rule of influence of diffusion time and substrate temperature on GaInP thin film morphology.
模拟仿真结果准确直观地展示了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长的过程,揭示了扩散时间和衬底温度对GaInP薄膜形貌的影响规律;可视化结果为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据。
3) film morphology
膜形貌
1.
Research on film morphology and application performance of butyrolactone modified amino-polysiloxane;
酰化改性氨基聚硅氧烷的膜形貌与应用性能相关性研究
2.
Effect of emulsifier and its content on the assembly film morphology of amino polysiloxane;
乳化剂及其含量对氨基硅组装膜形貌的影响
3.
Synthesis,film morphology and application characteristics of dodecyl/carboxyl modified aminopropylpolysiloxane
十二烷基/羧基改性聚二甲基硅氧烷的合成、膜形貌及其应用性能研究
4) film shape
膜层形貌
6) oxide film morphology
氧化膜形貌
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条