1) deep-scan
深度刻蚀
1.
The deep-scan analysis reveal that with scan depth increasing,the O/V ratio and the vanadium valence of the film changes gradiently,especially within scan depth of 80nm.
采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。
2) etching depth
刻蚀深度
1.
The relation of energ/etching depth is obtained.
根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验,得出了能量/刻蚀深度关系曲线。
2.
The etching depth of the circles showed a decreasing trend in the same processing conditions.
比较了相同实验条件下直线轨迹与圆环轨迹的刻蚀深度。
3) deep etching
深度蚀刻
4) Etched depth error
刻蚀深度误差
5) The etching depth of grating
光栅刻蚀深度
6) deep etching
深刻蚀
1.
Inductively coupled plasma(ICP) deep etching process of bulk titanium was studied in this paper.
采用电感耦合等离子体源(inductively coupled plasma,ICP)技术对金属钛进行三维深刻蚀,采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体,研究了线圈功率、平板功率和Cl2流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响,并对Ti深刻蚀参数进行了优化,得到0。
2.
Many MEMS structures need twice deep etching or even more,and usually the free-handing diaphragm is achieved after several deep etching.
许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔。
补充资料：深度
1.向下或向里的距离。 2.事物向更高阶段发展的程度。 3.触及事物本质的程度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条