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1)  PNN-PZT thick film
PNN-PZT厚膜
1.
When the deposited voltage and time are 21V and 5min,respectively,the PNN-PZT thick films deposited on the Pt foil are uniform and free of crack.
沉积电压为21V,沉积时间为5min时,在Pt金属基底上电泳沉积得到的PNN-PZT厚膜,经过1200℃烧结30min后,SEM显微结构分析表明,厚膜致密,晶粒得到充分生长。
2)  PZT thick film
PZT厚膜
1.
PZT thick films are prepared through sol-gel method and sensor cell structure of Si/SiO_2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt is formed.
基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题,为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。
2.
PZT thick films are homogeneous, crackfree, compa.
介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料 ,去离子水、乙二醇乙醚为溶剂 ,采用新型Sol Gel技术 ,即将PZT陶瓷粉末分散于PZTSol中 ,形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液 ,再制备厚膜的方法 ,成功地制备出 2~ 5 0 μm厚的新型 0 3型PZT厚膜材料 。
3.
Furthermore, Driving technology of PZT thick film compatible with MEMS has been, and still is, thought as a promising technology in the micro-driving field.
论文对PZT压电厚膜制备工艺;硅基PZT厚膜元件压电驱动特性的测试技术;硅基PZT厚膜压电驱动结构的优化设计;以及PZT压电厚膜驱动无阀微泵的兼容工艺做了深入地理论与实验研究。
3)  PZT piezoelectric thick film
PZT压电厚膜
4)  quaternary system (PMN-PNN-PZT)
四元系(PMN-PNN-PZT)
5)  PMN-PNN-PZT quaternary system
PMN-PNN-PZT四元系
6)  PZT film
PZT膜
1.
And the characteristic of PZT film-high sensitive and high output strain make it a most promising material of drive.
PZT膜因其优良的铁电性能、介电性能、压电性能和光电性能以及易与半导体技术集成等特点,已成为国际上功能材料和新器件的热点之一。
补充资料:[styrene-(2-vinylpyridine)copolymer]
分子式:
分子量:
CAS号:

性质:学名苯乙烯-2-乙烯吡啶共聚物。微黄色粉末或透明小颗粒晶体。无臭,无味。不溶于水,溶于酸、乙醇、丙酮、氯仿。有抗水、防潮性能,适用于多种药片的包衣等。

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参考词条