1) defective carbon nanotube
缺陷碳纳米管
1.
Preparation of defective carbon nanotube chemically modified electrodes grown in situ
原位生长缺陷碳纳米管化学修饰电极的研制
2) nanometer with defects
纳米缺陷态
3) carbon nanotubes
碳纳米管
1.
Simulation of mechanical properties of single-walled carbon nanotubes by molecular dynamics;
单壁碳纳米管力学性质的分子动力学模拟
2.
Fabrication of multi-walled carbon nanotubes/SBS composite and its electrical percolation;
多壁碳纳米管/SBS复合材料的制备及其渗流特性
4) carbon nanotube
碳纳米管
1.
Research progress in carbon nanotube used as electrode materials;
碳纳米管用作电极材料的研究进展
2.
Voltammetric behavior and analytical application of dopamine at carbon nanotube powder microelectrodes;
多巴胺在碳纳米管粉末微电极上的伏安行为及分析应用
3.
Preparation of chain-like carbon nanotubes film and its field emission properties;
链状碳纳米管薄膜的制备及场发射特性研究
5) CNTs
碳纳米管
1.
Progress of CNTs Reinforced Copper-based Composite Preparation;
碳纳米管增强铜基复合材料的制备技术研究
2.
Synthesis and Characterization of SiO_2 Thermal Insulation Aerogel Doped CNTs;
碳纳米管掺杂SiO_2气凝胶隔热材料的制备与性能表征
3.
PREPARATION AND INVESTIGATION ON PROPERTIES OF CNTs/C COMPOSITES;
碳纳米管/炭复合材料的制备及其性能的研究
6) carbon nanotube
纳米碳管
1.
Thermal conductivity measurement of multiwalled carbon nanotube suspensions using the 3ω method;
采用3ω法测量多壁纳米碳管悬浮液的导热系数
2.
MD simulations of diametrally compressed single-walled and double-walled carbon nanotubes;
单壁及双壁纳米碳管径向压缩特性的分子动力学研究
3.
Gel-casting process of carbon nanotubes/hydroxyapatite composite materials;
纳米碳管/羟基磷灰石复合材料的凝胶注模
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条