1) module/insulated gate bipolar transistor
模块/绝缘栅双极型晶体管
2) modes/IGBT modes
模块/绝缘栅双极型晶体管模块
3) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
4) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极型晶体管
1.
The dynamic over-voltage in the series connection of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) of high-voltage and high-power inverter equipment is investigated,and a quick feedback controlling method based on the bang-bang control is presented to control the component voltages of the equipment,with the aim of restraining the dynamic over-voltage of two series components.
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压。
5) insulated gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
6) IGBT
绝缘栅双极型晶体管
1.
Study on IGBT drive and protection circuit;
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究
2.
The model IGBT 1 in saber for IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) is introduced firstly,and its equivalent circuitry is presented.
介绍了Saber下绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)通用模型中IGBT1模型的等效电路,分析了IGBT1模型的静态和动态工作特性,包括直流传输特性、IGBT并联时的电流分配问题、IGBT导通过程等,并提供了Saber下IGBT1模型与静态、瞬态过程有关的参数取值。
3.
Combined with the design of brushless DC electric motor controller,a method to estimate power loss of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) based on PSPICE simulation is proposed.
结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)功率损耗的估算方法。
补充资料：模块
分子式：
CAS号：
性质：(一)motif 指构成生物体的大分子上局部区域构成特征性序列以适应大分子之间相互结合(或吻合)的基本结构单位称作基元。有时也称作模块或模式。如锌指、亮氨酸拉链、螺旋-转角-螺旋和螺旋-环-螺旋等。这些基元结构是解决基因转录调控的途径之一，也是生命科学中的重要研究课题之一。(二)组成光学掩模版阵列中的任一部分。可用作制造单个集成电路的功能层，或供测试用。
CAS号：
性质：(一)motif 指构成生物体的大分子上局部区域构成特征性序列以适应大分子之间相互结合(或吻合)的基本结构单位称作基元。有时也称作模块或模式。如锌指、亮氨酸拉链、螺旋-转角-螺旋和螺旋-环-螺旋等。这些基元结构是解决基因转录调控的途径之一，也是生命科学中的重要研究课题之一。(二)组成光学掩模版阵列中的任一部分。可用作制造单个集成电路的功能层，或供测试用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条