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1)  n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管
1.
Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
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2)  MOSFET model
金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型
3)  metal-oxide-semiconductor type field-effect transistor
金属氧化物[型]半导体场效应晶体管
4)  MOSFET ['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
5)  loss/metal oxide semiconductor field effect transistor
损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
6)  control/MOSFET
控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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