1) Carrier dispersion effect
载流子色散效应
2) free carrier dispersion effect
自由载流子色散效应
3) carrier effects
载流子效应
1.
The influence of the carrier effects on the temperature rise and melt threshold, the distributions of temperature and carrier concentration in the targets are also discussed.
采用数值方法 ,研究了半导体 In Sb材料受连续波激光辐照的熔融阈值 ,讨论了 In Sb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系 ,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响 ,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分
4) plasma dispersion effect
等离子色散效应
5) hot carrier effect
热载流子效应
1.
The simulation and analysis of hot carrier effect in LDD MOS;
LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析
2.
Hot Carrier Effect of NMOSFET with Different Gate Oxide Thickness;
不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应
3.
Low temperature hot carrier effects of N 2O nitrided (N 2ON) n MOSFET’s are investigated under the stresses of both maximum substrate current ( I B max ) and gate current ( I G max ) as compared to those of thermal oxidized (OX) n MOSFET’s.
通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较，调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应。
6) hot-carrier effect
热载流子效应
1.
The failure experiments of the P-LDMOS (lateral double diffused metal oxide semiconductor) demonstrate that the high peak electrical fields in the channel region of high-voltage P-LDMOS will reinforce the hot-carrier effect,which can greatly reduce the reliability of the P-LDMOS.
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性。
2.
The hot-carrier effect becomes to have a significant impact on the MOSFETs with size in deep sub-micron and ultra-deep sub-micron region.
本文通过理论分析和计算机数值模拟围绕深亚、超深亚微米nMOSFET器件热载流子产生机理,热载流子引起的器件特性退化等问题,对小尺度nMOSFET的热载流子效应进行了系统的研究。
3.
Hot-carrier effec
论文主要研究了双轴应变硅CMOS器件的自热效应和热载流子效应。
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条