1) linear combination forecast model
线性组合预测
1.
Simulation results indicate that accuracy of the forecasting model discussed in the paper is higher than any one sole model and the traditional linear combination forecast model.
仿真结果表明,文中提出的预测模型的精度高于任一单一模型,并且高于传统的线性组合预测模型。
2) nonlinear combination forecast
非线性组合预测
1.
A nonlinear combination forecasting method for dynamic measurement errors based on support vector machines;
基于支持向量机的动态测量误差非线性组合预测方法
3) nonlinear combination forecasting
非线性组合预测
1.
Research on nonlinear combination forecasting method based on wavelet network;
基于小波网络的非线性组合预测方法研究
2.
Using five types of S-type forecasting models as the input variables and using the actual values of the corresponding time as the output variables,the nonlinear combination forecasting model with the wavelet neural network is set up to predict the settlement of soft ground.
把5组不同形式的s型增长模型单项预测结果作为小波网络的输入向量,将代表相应时刻的实际值作为小波网络的输出,对软基沉降序列进行非线性组合预测。
3.
A new nonlinear combination forecasting method is given in this article.
本文提出了一种基于Ｔａｋａｇｉ－Ｓｕｇｅｎｏ 模糊规则基的非线性组合预测新方法，以克服线性组合预测方法在解决非平稳时间序列组合建模问题时所遇到的困难和存在的不足，并采用相应的遗传算法确定模糊系统的参数及模糊子集的划分。
4) linear combinative forecast method
线性组合预测法
5) linear combination forecasting model
线性组合预测模型
1.
According to the lack of the original reliability parameter and the necessity of exploiting original reliability parameter small stylebook,a linear combination forecasting model of original reliability parameter of power systems is proposed.
针对电力系统可靠性原始参数缺乏和开发可靠性原始参数小样本的需要,提出了电力系统可靠性原始参数的线性组合预测模型。
2.
On the basis of the absolute error sequence of linear combination forecasting model, this paper describes and analyses the precision feature of linear combination forecasting model.
从线性组合预测模型绝对误差序列出发，对线性组合预测模型的精度特征进行描述和分析，系统地研究线性组合预测模型的优化方法，为线性组合预测模型的优化设计提供理论基础。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条