1) linear ordering
线性排序
1.
This paper discusses the linear ordering of syntactic structures under the framework of minimalist program,including the terminal ordering of phrase structures and the linear ordering of syntactic structures in the condition of move.
在最简方案框架下探讨了句法结构的线性排序问题,包括短语结构的终端排序以及移动条件下的句法结构线性排序。
2) nonlinear ordination
非线性排序
3) linear insertion sort
线性插入排序
4) online scheduling
在线排序
1.
This paper combines together two emerging areas of scheduling research, multiprocessor task problems and fixed interval problems, and takes online scheduling into account, which is more consistent with real life situations.
本文将时下两个新兴的排序研究领域即多处理器任务问题和固定工件问题相结合,并考虑了在线排序的不确定性因素,使其更符合生活实际。
2.
Comparing to the classical off-line scheduling,the obvious feature of online scheduling is that all jobs\' information becomes known to the scheduler only by stages,and the scheduler have to take decisions depending only on the incomplete information of the instance as it is given so far.
在线排序是近年来现代排序领域发展最为迅速的模型之一。
3.
So online scheduling appears.
在线排序是现代排序的一个重要组成部分。
5) on-line scheduling
在线排序
1.
This paper investigates a special case of the on-line scheduling problem on two identical machines with rejection.
讨论一特殊情况的两台可拒绝同型机在线排序问题的近似算法。
2.
This paper investigates on-line and semi on-line scheduling problems on uniform machines with non-simultaneous machine available times.
研究带机器准备时间的m台同类机 (uniformmachines)在线和半在线排序问题 ,目标函数为极小化最大机器 (工件 )完工时间 。
3.
Moreover, on-line scheduling problems attract more attention of people because of its applications in practice.
而在线排序因其研究的内容非常具有实际意义，从而更加引人关注。
6) block-ordered linear dispersion code
分组排序线性离散码
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条