1) grid threshold voltage
栅阈电压
2) Side-gating threshold voltage
旁栅阈值电压
3) threshold voltage
阈值电压
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs;
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
3.
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects;
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
4) Threshold voltage
阈电压
1.
A 2D analytical electrostatics analysis for the cross-section of a FinFET (or tri-gate MOSFET) is performed to calculate the threshold voltage.
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式。
2.
The analytical solutions to 1D Schrdinger equation (in depth direction) in double gate (DG) MOSFETs are derived to calculate electron density and threshold voltage.
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压。
3.
Short channel effect of hot electron injection was taken into consideration in the threshold voltage model of submicrometer buried channel pMOSFET,so the model can be used as model for nMOSFET if symbols were changed correspondly.
亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 。
5) threshold voltage
临阈电压
6) Voltage threshold
电压阈值
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条