1) doped LaGaO3
掺杂镓酸钕
2) doped lanthanum gallate
掺杂镓酸镧
1.
Progress of doped lanthanum gallate solid electrolytes in the recent years was reviewed.
综述近几年掺杂镓酸镧基固体电解质的研究进展,分析了掺杂LaGaO3结构及导电机制,讨论了碱土、过渡金属及杂相对掺杂镓酸镧固体电解质的导电性的影响,描述了掺杂镓酸镧固体电解质的应用前景,指出了尚存在的问题及解决问题的途径。
3) Nd-substituted Bi_4Ti_ 3O_(12)
钕掺杂的钛酸铋
4) Nd-doped
钕掺杂
1.
Preparation and Gas-sensitivity of Ultra-fine Nd-dopedzinc-oxide Powders;
钕掺杂修饰的氧化锌纳米材料的制备与气敏性能
2.
Study of Nd-doped ZnO Thin Films Surface Structure and Refractive Index;
钕掺杂氧化锌薄膜的形貌表征与折射率测试
3.
Pure ZnO and Nd-doped ZnO were prepared via sol-gel method with zinc acetate dehydrate and lithium hydroxide monohydrate as raw material.
用15 W紫外灯作为光源,一定浓度的偏二甲肼污水为光催化反应模型污染物,研究了ZnO的光催化性能,考察了钕掺杂量对降解率的影响。
5) doped Nd
掺杂钕
6) Ga doping
镓掺杂
1.
Study on the Structural, and Magnetic Properties of Ga doping Perovskite Cobaltites;
镓掺杂钙钛矿钴氧化物的结构和磁性研究
补充资料：掺杂
分子式：
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条