1) dielectric/semiconductor films
介电/半导体薄膜
3) Semiconductor film
半导体薄膜
1.
The process characteristics of growth of semiconductor film are analyzed.
文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。
4) semiconductor thin film
半导体薄膜
1.
This paper shows the general characteristics of the photoelectfochemical oscillating behaviours of electrodeposited semiconductor thin films CuInSe2, AgInSe2, AuInSe2 during H2O2 cathodic reduction.
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
2.
In this paper, I studied the present methods for analyzing the optical parameters of thin film purposively to solve the problem of semiconductor thin film.
本文针对半导体薄膜光学参数的测定问题,对目前分析薄膜光学参数的方法进行了较为详细、系统的研究,从众多方法中选取反射光谱法与现代优化算法——遗传算法相结合,提出一种可以同时确定半导体薄膜多个光学参数的新方法。
3.
GaN semiconductor thin films were deposited on Si(111) substrates by chemical vapor deposition process using Ga2O3 and NH3 as source materials.
以Ga2O3和NH3为原材料,采用化学气相沉积法在Si(111)基板表面制备了GaN半导体薄膜。
5) Semiconductor Films
半导体薄膜
1.
The research of a method to obtain the optical parameters of semiconductor films;
一种获得半导体薄膜光学参数的方法
6) thin-film semiconductor
薄膜半导体
补充资料：半导体薄膜的制备
半导体薄膜的制备
preparation of semiconductor thin films
半导体薄膜的制备preparation。f semieondue-tor thin films在任何衬底上，生长多晶、微晶及非晶薄膜的技术。一般生长温度均比外延的要低。最常用的方法是化学气相沉积(CVD)。CVD又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子增强CVD(PECVD)和光CVD(PCVD)等方法。其淀积温度按上列次序而递减(在900一100℃范围内变化)。淀积压力可从常压到7 Pa。反应能可用热能、辉光放电能、光能提供。在实际应用中，淀积的薄膜必须满足下列要求:膜厚均匀，薄膜的结构和成分是可控的，制备上可重复的，价廉，容易实现自动化和安全生产。 对具有很小尺寸的超大规模集成电路(VLSI)器件要求精密的光刻，有各向异性的图形转换和很浅的结。这些条件对淀积薄膜工艺提出了新的要求，主要是淀积温度低，以防止浅结的移动;在各向异性腐蚀的表面上有保持图形的台阶覆盖，使其工艺诱发缺陷低以及生产效率高。按上述要求，CVD方法中，以LPCVD法为最好，因其温度适中，薄膜按化学比组成，均匀性好，损伤小，生产效率高。 半导体薄膜广泛用于集成电路中。其中氮化硅膜有抗氧化能力，可用来实现器件的等平面结构;还有抗Na离子和抗潮性能，借以作为电路的表面保护。氧化硅膜用来作为栅介质和绝缘介质。多晶硅膜可用硅烷在600一650℃热分解得到，多晶硅膜可用作金属一氧化物-半导体(MOS)器件的栅电极、多层布线的导电层和浅结器件的接触材料。多晶硅通常在无掺杂下淀积，AS、P或B等掺杂元素随后用扩散、离子注入的方法引入。非外延薄膜除了在集成电路中应用外，非晶硅膜广泛用于太阳电池制作，非晶硅是用硅烷在低温下热分解得到(见非晶硅制备)。(汪师俊)
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参考词条