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1)  UMOS
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
2)  double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
3)  polycrystalline silicon gate mos
多晶硅栅金属氧化物半导体
4)  double level polysilicon mos structure
双层多晶硅金属氧化物半导体结构
5)  poly squared cmos
双层多晶硅互补金属氧化物半导体
6)  floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

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