1) ultra-fast carrier dynamics
超快载流子动态特性
1.
Taking into account ultra-fast carrier dynamics,640Gb/s to 80Gb/s demultiplexing scheme based on nonlinear polarization rotation(NPR) in semiconductor optical amplifier(SOA) are numerically analyzed in detail.
考虑超快载流子动态特性,文章通过仿真详细分析了基于半导体光放大器的非线性极化旋转效应实现640Gb/s到80Gb/s的解复用方案。
2) ultrafast carrier dynamic
超快载流子动力学
1.
In this thesis, the ultrafast carrier dynamics of n-Si , p-Si and SI-GaAs have been investigated by the optical-pump terahertz-probe spectroscopy (OPTP).
本论文主要利用光泵浦太赫兹探测(optical-pump terahertz-probe,即OPTP)技术对n型硅(n-Si)、p型硅(p-Si)及半绝缘GaAs这几个常规半导体材料进行了超快载流子动力学的研究,同时也通过太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术对n-Si、p-Si样品进行了在太赫兹范围内的光谱分析,获得了样品在太赫兹波段的一些光学参数。
3) quick-opening flow characteristic
快开流动特性
4) load [dynamic] characteristic
负载[动态]特性
5) charge transport property
载流子迁移特性
6) over load characteristics
超载特性
1.
Using 3D nonlinear finite element method dealing with multi damage mode models,this paper has conducted the stability evaluation and over load characteristics of the dam.
运用三维非线性有限元数值分析方法，研究坝肩（ 基） 岩体的超载特性与整体稳定安全储备，并对坝肩（ 基） 岩体及裂隙面强度参数进行敏感性分析。
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条