1) II-type DHBT
Ⅱ型双异质结双极晶体管
2) HBT
异质结双极型晶体管
1.
SiGe HBT Class AB Power Amplifier for Wireless Communications;
用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)
2.
Frequency performance is the first key factor in the design of heterojunction bipolar transistor(HBT),fTand fmax are the main frequency parameters.
频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。
3.
An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.
报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT)。
4) HBT (heterojunction bipolar transistor)
HBT(异质结双极型晶体管)
5) single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)
单异质结双极型晶体管
6) heterojunction bipolar transisters(HBT)
异质结双极型晶体管(HBT)
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条