1) in-situ chemical vapor deposition(in-situ CVD)
原位化学气相沉积
1.
The technique of in-situ chemical vapor deposition(in-situ CVD)was discussed in details.
介绍了目前制备碳纳米管增强金属基复合材料的主要方法,讨论了传统制备工艺所存在的问题,重点介绍了原位化学气相沉积法,通过对其工艺特点、材料性能以及目前的应用现状等几方面的讨论,展示了该制备方法在实际应用中的优势和潜力。
3) chemical vapor deposition
化学气相沉积
1.
Study on PPy/UHMWPE fiber prepared by chemical vapor deposition;
化学气相沉积PPy/UHMWPE纤维的研究
2.
Preparation of In_2O_3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method;
单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线
3.
Dielectric properties of aluminum-doped silcion carbide using chemical vapor deposition;
化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性
4) chemical vapour deposition
化学气相沉积
1.
Preparation of tellurium films with spectral selectivity by chemical vapour deposition method;
化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜
2.
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition;
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
3.
A new glass coating technology to combine the method of ionic pervasion colouration with the technique of chemical vapour deposition was adapted.
将离子渗透着色技术(IPC)和化学气相沉积技术(CVD)加以结合,在浮法玻璃生产线的锡槽内和AO区进行2次镀膜形成复合膜,克服了单一镀膜技术存在的不足。
5) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
6) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
补充资料：原位
分子式：
CAS号：
性质：源于拉丁语。指在原来的，正常、自然的部位或位置。
CAS号：
性质：源于拉丁语。指在原来的，正常、自然的部位或位置。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条