1) closed field unbalanced magnetron sputter iron plating
非平衡闭合磁控溅射
1.
The graphite-like composite coatings were deposited using closed field unbalanced magnetron sputter iron plating technique.
使用非平衡闭合磁控溅射技术制备了类石墨复合镀层,采用SEM、AFM观察了不同渗碳淬火基片不同表面状态类石墨复合膜表面和断口形貌,采用XRD分析了镀层的相结构。
2) Closed-field unbalanced magnetron sputtering
闭合场非平衡磁控溅射
1.
Closed-field unbalanced magnetron sputtering (CFUBMS) and 90° bend toroidal duct magnetic filtered cathodic vacuum arc (FCVA) were chosen to prepare DLC films for they are the better deposition technologies for industrial application, and the influences of deposition parameters on the structures and properties were investigated.
采用了闭合场非平衡磁控溅射和90°弯管磁过滤阴极弧两种适合产业化的技术,在单晶硅基体上沉积DLC膜,研究了工艺参数对DLC膜的结构和性能的影响。
4) unbalanced magnetron sputtering
非平衡磁控溅射
1.
Characteristics of titanium-doped diamond-like carbon films deposited by unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射Ti掺杂类金刚石薄膜的基本特性
2.
The research on half-analytical method in calculating the magnetic field of unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射系统磁场的半解析法
3.
Effect of Al content on properties of Ti_(1-x)Al_xN hard film prepared by unbalanced magnetron sputtering;
Al含量对非平衡磁控溅射制备Ti_(1-x)Al_xN膜性能的影响
5) Magnetron/unbalanced
磁控溅射/非平衡
6) unbalanced magnetron sputtering(UBMS)
非平衡磁控溅射(UBMS)
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条