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1)  InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
2)  indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
3)  indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4)  GaInAsSb
镓铟砷锑
5)  InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6)  GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
补充资料:磷化铟
分子式:  InP 
CAS号:

性质:沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。

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