1) InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
2) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
3) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4) GaInAsSb
镓铟砷锑
5) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
补充资料:磷化铟
分子式: InP
CAS号:
性质:沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。
CAS号:
性质:沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条