1) mesa process
台面工艺
2) double-mesa technology
双台面工艺
1.
A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device(with an emitter area of about 880μm2)was fabricated with 2μm double-mesa technology.
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT。
3) mesa epitaxial approach
台面外延工艺
4) stage art and crafts
舞台工艺
5) Process Boss
工艺凸台
6) working surface of table
工作台台面
补充资料：台面
分子式：
CAS号：
性质：又称台面，描述晶体表面台阶结构中的一个平面。通常晶体的表面台阶结构由平台-台阶-扭折所构成，并以下式表示：R（S）-[m·(hkl)×n(h′k′l′)]+[uvw]。式中R为台阶表面的组成元素，（S）为台阶结构，（hkl）为平台的晶面指标，m为平台宽度（m个原子列），（h′k′l′）是台阶侧面的晶面指标，n为台阶的原子层高度，[uvw]为平台与台阶相交的原子列方向。
CAS号：
性质：又称台面，描述晶体表面台阶结构中的一个平面。通常晶体的表面台阶结构由平台-台阶-扭折所构成，并以下式表示：R（S）-[m·(hkl)×n(h′k′l′)]+[uvw]。式中R为台阶表面的组成元素，（S）为台阶结构，（hkl）为平台的晶面指标，m为平台宽度（m个原子列），（h′k′l′）是台阶侧面的晶面指标，n为台阶的原子层高度，[uvw]为平台与台阶相交的原子列方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条