1) infrared laser source
红外激光光源
2) far-infrared laser source
远红外激光源
1.
The THz two-dimensional transmission imaging based on far-infrared laser source likely meet actual demands.
太赫兹辐射成像在危险品检测、医疗和食品检验等领域有广泛的应用前景,基于远红外激光源的太赫兹二维透射成像方法具有很大的实用价值。
3) linear light source of the near-infrared laser
激光近红外线状光源
1.
In the paper,linear light source of the near-infrared laser,CCD technology and computer image processing technology have been applied, and the real-time image of rail cross-section has been acquisitioned.
文章采用激光近红外线状光源,CCD技术及计算机图像处理等技术,实时采集钢轨断面图像,并快速准确地计算出钢轨断面磨损参数的大小,给铁路的安全运行提供可靠的信息依据。
4) infrared laser
红外激光
1.
Particle field measurement using infrared laser in-line holography
测量粒子场的红外激光同轴全息技术
2.
A new type of digital phasometer applied to the infrared laser position-tracking system of mine hoister is introduced, which is based on FPGA and FFT algorithm.
介绍了用于矿井提升机红外激光位置跟踪系统中的一种新型数字鉴相器的研究方法。
3.
The location tracking system of the mine hoist with infrared laser positioning technology is to apply infrared wave laser.
基于红外激光定位技术的矿井提升机位置跟踪系统的研究是利用工作在红外波段的激光,通过测量“调制光波”往返于被测距离上相位差的方法来测定距离。
6) infrared source
红外光源
1.
MEMS infrared source and application;
MEMS红外光源及应用
2.
However the final analysis result is greatly affected by the intensity from the infrared source driving and modulating.
利用红外吸收法来分析气体浓度已经被广泛的应用,红外光源经驱动和调制后产生的光强很大,影响了最终的分析结果。
补充资料：红外半导体激光材料
红外半导体激光材料
infrared semiconductor laser materials
红外半导体激光材料infrared semieonduetorlaser materials激光波长大于0 .55月m的半导体激光材料。由于红外波长范围广阔，相应半导体激光材料种类很多(见表)。用于波长大于2月m的红外半导体激光材料，通常按性质分为两类，一类是Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体，其覆盖波段为2一4月m。另一类是W一VI族铅盐半导体，覆盖波段为3一30召们no红外半导体激光材料波长(解m)0 .85一0.900 .93一1.0 1 .0一1.7 2 .0一4.0激活层GaASInGaAsIn卜xGaxAs卜，P，InGaAssbInAsPSb 限制层AIGaAsAIGaAsInPAIGaAssbAIGaPSb 衬底GaASGaAsInPGasbInAs分类m一V族化合物半导体3一30}PbEuseTe 1 PbseTe 1 PbTe份一VI族化合物半导体 Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体制造用于红外光纤通信，红外传感、激光雷达及分子光谱学等方面的中红外半导体激光器。Gal一xlnxAsysbl一，四元合金系统，当y/x约0.9时，这种化合物可同Gasb晶格匹配。从原理上说，x=0一1时，波长凡可在1.7一4.3召m范围变化。但是，工艺上实现覆盖这一波段范围比较困难。例如采用液相外延(LPE)法生长材料，由于中心区(x二0.18一0.84)存在混合隙，目前最长波长做到2.39#m。由于液相外延是一种热力学平衡过程，在这一组分范围内，液相和固相间存在大的分凝，衬底相对熔体处在不稳定状态，因此不能获得稳定的固相。红外光纤最低损耗波长为2.55尽m，获得这一波段激光器所需的材料组分为x约0 .27，正好在混合隙内。因而需采用分子束外延(MBE)和金属有机气相外延(MOVPE)生长方法制备。Ga，_xlnxAsysb，_，为有源区激光材料，其限制层材料选择Gal一二Al二As，Sbl一y’通过选择合适的组分，使其禁带宽度比GalnAssb宽，而折射率比其低。因此在Gasb衬底上可生长出GaAIAssb/GalnAssb/GaAIAssb/Gasb双异质结构。 2一4召m波段另一种可供选择的激光材料是生长在InAs衬底上的InAsl一二一yPxsb，异质结材料。但利用这种材料制成的激光器热特性较差，难以实现室温工作，使用很少。此外还有Insb、InGaAs等材料，虽已作出激光器，但由于器件性能不好，也很少使用。 W一VI族铅盐半导体带宽温度系数非常大，特别适合制造半导体可调谐激光器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条