2) Bi thin film
Bi单晶薄膜
3) Bi-YIG film materials
Bi-TIG薄膜材料
4) Bi-based oxide thin film
Bi系氧化物薄膜
1.
Using the principle of silica gel adsorbed-desorbed ozone,a homemade ozone concen- trating apparatus was devised,and the high-concentration ozone was used as oxide source in molecular beam epitaxy(MBE)to prepare Bi-based oxide thin films.
利用硅胶吸附-解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源,在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1。
5) In Bi film
In-Bi膜
6) Er-Bi alloy films
Er-Bi合金膜
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条