1) far field diffraction pattern(FFDP)
远场能量分布
2) Far field distribution
远场分布
1.
Analysis of the far field distribution measurement of the terminals of free space laser communication and de of the measuring system design;
卫星激光通信端机远场分布测试分析及测试系统设计
2.
In this paper, the far field distributions of some modes distorted by misalignment of resonators are calculated and the influence of complex spatial coherence on the distributions is discussed.
激光的远场分布一般是有规律的 ,但实际上 ,由于谐振腔的失调 ,有时出来的模式并不规则 ,而且由于模式的叠加 ,多数激光器出来的光是部分相干光。
3) far-field distribution
远场分布
1.
A CCD far-field distribution measurement system with imaging and calibration techniques was established to measure the far-filed distribution along the slow axis of LD.
利用远场成像及标定对比方法,建立了半导体激光器慢轴远场分布的CCD测量系统。
2.
In order to design optical system to collimate laser beam, its far-field distribution should be acquired exactly.
为了合理地设计光学系统以整形激光二极管出射光束,必须准确了解激光二极管的远场分布,然而对于大功率激光二极管仍没有形式简单并且较好反映实际器件特性的光束模型。
3.
3 μmDFB master laser diode and its far-field distribution measurement are reported for the firsttime.
３μｍ分布反馈（ＤＦＢ）半导体激光器注入锁定普通半导体激光器后的模式及其远场分布特性实验。
4) far field pattern
远场分布
1.
As a kind of the inverse problems,the shape detection problem is required to determine the shape of an obstacle having given a knowledge of the far field pattern of the (acoustic or electromagnetic) scattering wave.
物形探测问题属于一类逆问题，它要求在已知声（或电磁）波散射的远场分布信息的条件下，再现物体形状。
2.
The simulation is performed to the near field pattern,far field pattern and divergence angle etc.
为建立一套快速、准确的测量系统以适用于半导体激光器中、大规模生产的测试要求 ,利用有限元差分数值模拟方法对半导体激光器光束的近、远场分布 ,发散角等作理论模拟 ,利用测量系统对其光束的近远场分布、发散角等进行测量。
6) field emission energy distribution
场发射能量分布
1.
This paper summarizes the results about emission mechanisms of CNTs during the past 10 years, including issues of field emission energy distribution (FEED), work function, emission models and emission stability.
较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果,包括场发射能量分布、逸出功、发射模型以及发射稳定性和失效等问题,并介绍了相关方面的研究结果。
补充资料：开关场分布
分子式：
CAS号：
性质：在饱和磁滞回线的微分曲线上，峰值一半处两点之间的宽度称半峰宽ΔH(见图)，半峰宽与内禀矫顽力之比称为开关场分布，其表达式为SFD=ΔH/MHc。该值描述磁滞回线在矫顽力附近的陡峭程度。对磁记录材料而言，其值越小，磁滞回线在Hc附近越陡峭，录放信号的灵敏度越高。
CAS号：
性质：在饱和磁滞回线的微分曲线上，峰值一半处两点之间的宽度称半峰宽ΔH(见图)，半峰宽与内禀矫顽力之比称为开关场分布，其表达式为SFD=ΔH/MHc。该值描述磁滞回线在矫顽力附近的陡峭程度。对磁记录材料而言，其值越小，磁滞回线在Hc附近越陡峭，录放信号的灵敏度越高。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条