1) standard CMOS technology
CMOS标准工艺
2) standard CMOS process
标准CMOS工艺
1.
The Study of Non-Volatile Memory Based on Standard CMOS Process;
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究
2.
18μm standard CMOS process for the purpose of reducing the cost and power of passive RFID tag chips.
18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器。
3.
Based on a standard CMOS process OTP memory cell, a storage density of 32 bits OTP memory is designed.
本文基于一个标准CMOS工艺的OTP存储器单元,设计一个存储密度为32bits的OTP存储器,存储器读取时间为30ns,工作电流为12。
4) standard process
标准工艺
1.
The resulting data are analyzed by appropriate SPC methods, which make the standard process being under control.
5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估。
5) CMOS
CMOS工艺
1.
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer;
10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
2.
6μm CMOS technology.
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。
3.
The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
6) CMOS technology
CMOS工艺
1.
Low phase noise LC VCO design in CMOS technology;
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计(英文)
2.
18 μm CMOS technology.
18μm CMOS工艺实现的2。
3.
6μm CMOS technology.
6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条