2) microwave pulsed power transistor
硅微波功率晶体管
1.
Due to the small volume, light weight, high power, high gain and high reliability, the solid state silicon microwave pulsed power transistors have a widely application in communication, radar, and electron countermeasure(ECM).
本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。
4) microwave pulse transistor
微波脉冲晶体管
5) microwave power transistor
微波功率晶体管
1.
Applications of the dry etching to silicon microwave power transistor;
干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用
2.
Thermal failure of a type of microwave power transistor was analyzed and discussed,the power aging failure happened in the process of screening test.
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。
6) Microwave power FET
微波功率场效率晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条